. (1396). مطالعه‌ی محاسباتی جذب مولکول‌های HCN، CO و ClCN در نانو لوله‌‌ی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT. کاربرد شیمی در محیط زیست, 8(30), 21-25.
. "مطالعه‌ی محاسباتی جذب مولکول‌های HCN، CO و ClCN در نانو لوله‌‌ی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT". کاربرد شیمی در محیط زیست, 8, 30, 1396, 21-25.
. (1396). 'مطالعه‌ی محاسباتی جذب مولکول‌های HCN، CO و ClCN در نانو لوله‌‌ی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT', کاربرد شیمی در محیط زیست, 8(30), pp. 21-25.
. مطالعه‌ی محاسباتی جذب مولکول‌های HCN، CO و ClCN در نانو لوله‌‌ی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT. کاربرد شیمی در محیط زیست, 1396; 8(30): 21-25.
مطالعه‌ی محاسباتی جذب مولکول‌های HCN، CO و ClCN در نانو لوله‌‌ی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT
تاریخ دریافت: 19 دی 1395،
تاریخ بازنگری: 01 بهمن 1395،
تاریخ پذیرش: 28 بهمن 1395
چکیده
در این تحقیق با بهره‌گیری از نظریه تابع چگالی (DFT)، روش B3LYP و سری پایه G* 6-31 اثر جذب مولکول‌های CO, ClCN, HCN را روی نانولوله‌های تک دیواره آرمچیر (4 و 4) SiC دوپه شده با اتم B مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به روند تغییرات در فاصله بین اوربیتالهای HOMO و LUMO مدل‌های مورد مطالعه می‌توان نتیجه گرفت که بیشترین رسانایی الکتریکی در مدل B dope C ClCN-Attached و کمترین رسانایی در مدل خالص دیده می‌شود. نتایج جدول جذب سطحی نشان می‌دهد که بیشترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si ClCN-Attached و کمترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si HCN-Attached دیده می‌شود. با توجه به نتایج این پژوهش می‌توان نتیجه گرفت که مطلوب‌ترین گزینه مورد مطالعه مولکول ClCN می‌باشد.
ابتدای صفحه