مطالعات نظریه تابعی دانسیته رزورسینول و فنول

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

چکیده

در این تحقیق، گاف انرژی HOMO-LUMO، پارامترهای ساختاری، انرزی مینیمم، مقدار بار الکتریکی اتم­ها و ممان دوقطبی رزورسینول و فنول در فاز گازی محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از نظریه تابعی دانسیته با روش B3LYP و با مجموعه پایه­­ G++(d,p) 311-6  بر روی ترکیبات انجام شده است. مطابق محاسبات انجام شده ممان دوقطبی رزورسینول و فنول به ترتیب 3826/1 و 3844/1 دبای و مقدار گاف انرژی رزورسینول و فنول به ترتیب 2125/0 و 21392/0 هارتری به­دست آمده است. محاسبات مربوط به بار الکتریکی اتم­ها نشان می­دهد در هر دو ترکیب همه اتم­های هیدروژن بار الکتریکی مثبت دارند و بیش­ترین بار منفی به طور عمده در اتم O قرار دارد.

کلیدواژه‌ها